芯动科技全系高端DDR存储接口解决方案

  芯动科技在高端DDR方面可以说是一骑绝尘,从DDR5(单DQ达4.8Gbps~5.6Gbps),到LPDDR5/5X(单DQ达6.4Gbps~7.6Gbps)、GDDR6(单DQ达16Gbps)乃至GDDR6X(单DQ达21Gbps)、HBM3.0(单DQ达6.4Gbps),均包含PHY和控制器IP,全面支持JEDEC各标准,做到了一站式覆盖,这在全球都是绝无仅有的。该技术还具备高性能、高带宽、低功耗、低延时、小尺寸、可扩展设计等特征,做到各主流FinFET先进工艺全覆盖,支持一站式集成和多样化定制,是全球覆盖面最广、业界最顶尖的DDR系列技术,堪称DDR领域的天花板,已一站式赋能高性能计算、多媒体&汽车电子、等多个平台。

  其中,芯动科技首发的GDDR6/6X COMBO IP是全球速度最高的DDR显存技术,单个DQ能达到21Gbps超高速率,是最新DDR5速率的4倍以上,在256位宽度下系统带宽超过5Tb/秒,兼具低成本、高性价比优势,可谓是高性能计算神器。该技术为图形处理、科学计算和人工智能等大数据处理应用提供了卓尔不凡的体验。近期芯动为客户定制的国产首个4K级高性能GPU“风华1号”搭载的正是自研GDDR6X显存技术。

  据介绍,GDDR6X并非简单的超频技术,为了数据密度更高,它使用了32位并行单端PAM4技术,比业界常见的串口差分PAM4技术,难不止一个数量级,全球除了英伟达,一个公司都做不出来,每个时钟周期可以传输多次数据——数据吞吐量越大,芯片并行计算能力越大,GPU能够同时渲染的像素点越多,画质越清晰。使用GDDR6X技术可满足4K高刷新率画面需求;在提升接口数据传输速率的同时,它实际内核频率甚至可以做到比上一代技术更低一些。芯动科技GDDR6X研发负责人高专透露,“GDDR6X的PAM4并行技术是英伟达与美光在一栋楼里共同研发两年才研发出来,而芯动团队是全球唯一一家,仅凭有限的远程技术支持,只用一年时间就做出来了,连AMD目前都还没有做到成功研发该技术。”芯动科技作为全球对DDR接口技术覆盖最全的IP公司,具备十多年的技术基础积累和200次流片打磨的经验,可以说是国内硬科技企业的代表,获得硬核中国芯荣誉也是实至名归。

  “硬核中国芯”奖项评选由超20万电子工程师和50位专家评审团,分别从参评企业的产品性能、价格竞争力、技术创新、客户服务、市场销量等指标进行评分,是国内极具创新和影响力的半导体产业评选活动。

  芯动科技(Innosilicon)是中国一站式IP和芯片定制领军企业,专注于高性能计算GPU、高带宽交换与存储等领域,提供全球各大工艺从55纳米到5纳米FinFET全套高性能IP核和ASIC定制解决方案。公司15年来立足本土发展,所有IP和芯片全国产自主可控,经过200多次先进工艺流片,过50亿颗高端SoC量产,连续十年中国市场份额遥遥领先。芯动是中国唯一受到全球6大顶尖晶圆厂(台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子英特尔)签约支持的技术合作伙伴,聚焦从28/22纳米、14/12纳米、10纳米、7纳米到5纳米等FinFET/FDX节点,支持了中芯国际、华力等国产先进工艺量产首发。芯动是为数不多圆满完成多项国家重大专项的领军企业,历史客户群涵盖、中兴通讯、瑞芯微、全志、君正等国内前十设计公司,以及AMD、微软、亚马逊高通、安盛美等全球知名企业。我们日常所用的轨道交通身份证“刷脸认证”、高清机顶盒、监控摄像、游戏机、手机、平板、全球顶级示波器主控芯片、以及CPU/GPU/NPU等多种先进产品背后都有芯动技术。

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  T32A的引脚排列与LS32完全相同。设备输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0 V至6.0 V 低输入电流:1 A CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:48 FET或12个等效门 PbFree软件包可用 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  T20A的引脚排列与LS20完全相同。器件输入与标准CMOS LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:4.5 V至5.5 V 低输入电流:1uA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 应用 桌面,白色家电等 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HCT86A的引脚排列与LS86完全相同。器件输入与标准CMOS输出和LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:56 FET或14个等效门 这些是无铅设备 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS。 MC74HCT08A的引脚排列与LS08完全相同。设备输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL载荷 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0 V至6.0 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:24 FET或6个等效门 这些是无铅设备 应用 桌面 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC86A的引脚排列与LS86相同;该器件的功能类似于MM74C86和L86,但具有不同的引脚排列。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号规定的要求 芯片复杂性: 56个FET或14个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  30的引脚排列与LS30完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容,带上拉电阻,与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC32A的引脚排列与LS32完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6V 低输入电流:1mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:48个FET或12个等效电路盖茨 无铅包装可用 电路图、引脚图和封装图...

  20A的引脚排列与LS20完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2 V至6 V 低输入电流:1 uA CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 电路图、引脚图和封装图

  11A的引脚排列与LS11完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2 V至6 V 低输入电流:1 A CMOS器件的高抗噪性能 这些是无铅设备 应用 桌面,白色商品等 电路图、引脚图和封装图

  10A的引脚排列与LS10完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合要求JEDEC标准第7号A 芯片复杂性:36 FET或9个等效门 PbFree包可用 电路图、引脚图和封装图

  能硅栅CMOS MC74HC08A的引脚排列与LS08完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6V 低输入电流:1mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号要求 芯片复杂性:24个FET或6个等效电路盖茨 无铅包装* * 电路图、引脚图和封装图...

  能硅栅CMOS MC74HC02A的引脚排列与LS02完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2.0至6.0 V 低输入电流:1.0 mA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7A号规定的要求 芯片复杂性: 40个FET或10个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  输入与非门。高性能硅栅CMOS。 MC74HC00A的引脚排列与LS00完全相同。器件输入与标准CMOS输出兼容;使用上拉电阻,它们与LSTTL输出兼容。 特性 输出驱动能力:10 LSTTL负载 直接输出到CMOS,NMOS和TTL接口 工作电压范围:2至6 V 低输入电流:1μA CMOS器件的高抗噪性能 符合JEDEC标准第7号A要求 芯片复杂性:32个FET或8个等效门 PbFree包可用 电路图、引脚图和封装图...

  T00是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的NAND门,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准74LS逻辑MM-4HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些兼容器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 TTL,LS引脚分配和阈值兼容 快速开关:t PLH ,t PHL = 14 ns(典型值) 低功率:直流时为10μW 高扇出,10个LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T08是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的逻辑功能器件,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免受到内部二极管至V CC 和地线HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 TTL,LS引脚分配和阈值兼容 快速开关:t PLH ,t PHL = 12 ns(典型值) 低功率:直流时为10μW 高扇出,10 LS-TTL负载 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T05是通过使用先进的硅栅极CMOS技术制造的逻辑功能器件,可提供CMOS的固有优势 - 低静态功率和宽电源范围。此器件的输入和输出特性以及引脚分配与标准DM74LS逻辑系列兼容.MM74HCT05开路漏极六路转换器要求增加一个外部电阻以实现有线 - 或非功能。保护所有输入端,以免受到内部二极管至V CC 和地线HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特性 开路漏极实现有线 - 或非功能 LS- TTL引脚和阙值兼容 10 LS-TTL负载的高扇出 典型传播延迟:t PZL (带1 kohm阻)10 nst PLZ (带1 kohm电阻)8 ns 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  FSA646 2:1 MIPI D-PHY(2.5Gbps)4数据通道开关

  是一款4数据通道,移动产业处理器接口(MIPI),D-PHY开关。该器件为单刀双掷(SPDT)开关,专门针对两个高速或低功耗MIPI信号源之间的切换进行了优化.FSA646特别针对MIPI规格设计,可连接至CSI或DSI模块。 特性 开关类型:SPDT(10x) 信号类型: MIPI,D-PHY V CC :1.5至5.0 V 输入信号:0至1.3 V R ON : 6Ω典型HS MIPI 6Ω典型LP MIPI △R ON :0.1Ω典型LP& HS MIPI R ON_FLAT :0.9Ω典型HS& LS MIPI I CCZ :1μA(最大值) I CC :32μA(典型值) OIRR:-24 dB(典型值) 带宽:2500 MHz最小值 C ON :15 pF(典型值) Xtalk:-30 dB(典型值) 在相同输出下,反向转换的时滞:6 ps(典型值) 电路图、引脚图和封装图...

  99B是一款超低RON双DPDT和一个0.5欧姆RON模拟开关。该器件专为低工作电压,扬声器输出的高电流切换和手机应用的耳机而设计。它可以切换平衡的立体声输出。 NLAS3799B可以在单声道模式下处理平衡麦克风,扬声器,铃声发生器。该设备包含一个先断后合(BBM)功能。 特性 单电源供电,1.65至4.5 V 直接来自LiON电池的功能 最大值击穿电压:5.5 V 低静态功率 NLAS3799B与2.8 V芯片组的接口; NLAS3799BL与1.8 V芯片组的接口 应用 终端产品 手机扬声器/麦克风切换 铃声 - 芯片/放大器切换 四个不平衡(单端)开关 立体声平衡(推挽)切换 手机 VoIP手机 液晶电视 电路图、引脚图和封装图...

  222是一款DPDT交换机,针对便携式系统中的高速USB 2.0应用进行了优化。它具有超低的导通电容,CON = 7.5 pF(典型值),带宽高于950 MHz。它针对使用单个USB接口connectorto路由多种信号类型的应用进行了优化。两个通道的CON和RON都很低,允许NL3HS2222将任何速度的USB数据传输信号传递到中等电阻的终端,如外置耳机。 应用 USB 2.0开关 电路图、引脚图和封装图

  NCP4208 同步降压转换器 8相 VR11.1可编程 带I2C接口

  8是一款集成电源控制IC,具有I 2 C接口。 NCP4208是一款高效,多相,同步降压开关稳压控制器,可帮助设计高效率和高密度解决方案。 NCP4208可编程为1,2,3,4,5,6,7或8相操作,允许构建多达8个互补降压开关级。 特性 优势 快速增强PWM 出色的负载转换性能 应用 终端产品 CPU Vcor​​e 台式电脑,服务器 电路图、引脚图和封装图

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